台积电当前的10nm工艺尚处于拉抬良率过程中，已经开始急急高调宣传7nm工艺，并且传闻指高通可能回归采用其7nm工艺生产下一代高端芯片骁龙 845 / 840，对于这个笔者认为很可能是又一个谎言!
台积电7nm工艺能否按时量产存疑
自16nmFinFET工艺以来，台积电一直都落后于三星。三星于2015年初量产14nmFinFET工艺，台积电的16nmFinFET工艺则到同年三季度才量产;前者于去年10月量产10nm工艺，台积电方面虽然说今年初量产10nm工艺，但是采用该工艺的联发科helio X30迟迟未能上市，让人对其10nm工艺的规模量产存有较大疑问。
当前台积电同时开发16nmFinFET的改进工艺12nmFinFET，10nm工艺良率还需要改善，目前已将大量精力投入采用10nm工艺生产苹果的A11处理器，这一切都给它推进7nm工艺的研发造成干扰。
2015年三星采用自己14nmFinFET工艺的Exynos7420处理器性能和功耗表现卓越。台积电的16nmFinFET工艺量产时间太晚导致高通不得不采用20nm工艺生产其高端芯片骁龙810，由于台积电在20nm工艺上优先照顾苹果的A8处理器导致高通的骁龙810量产时间太晚缺乏足够的时间进行优化导致骁龙810出现发热问题，进而导致2015年高通的高端芯片出货量大跌六成，而让三星的Exynos7420独霸这一年的Android市场。
受此影响，高通一怒之下离开台积电，将其高端芯片转由三星制造。2015年底的骁龙820、今年的骁龙835分别由三星的14nmFinFET、10nm工艺制造，性能和功耗都表现优秀。
作为对比的是，华为海思选用台积电的16nmFinFET生产的麒麟950、联发科采用其10nm工艺生产的helio X30俱出现量产时间延迟的问题。
去年高通的中端芯片骁龙625、近期的中高端芯片骁龙660都采用三星的14nmFinFET工艺，而这两款芯片的上一代产品俱是采用台积电的28nm工艺。从高端到中端芯片，高通正将更多的芯片订单转到三星，双方的合作关系不断加深。
